Металуршки силицијум је подељен на различите степене у зависности од степена чистоће, што одређује његову употребу у различитим индустријама. Ево детаљне класификације:
1. Металуршки силицијум (МГ-Си)
Чистоћа:97%-99% силицијум
Главне нечистоће:
Гвожђе (Фе): мање или једнако 0,5%
Алуминијум (Ал): мање или једнако 0,5%
Калцијум (Ца): мање или једнако 0,3%
Главне апликације:
Легуре алуминијума(нпр. аутомобилски делови, ваздухопловне компоненте).
Производњасилицијум челик(за електричне трансформаторе).
Сировине залегуре феросилицијума(користи се у производњи челика).
Производња: Произведен карботермичном редукцијом у електричним лучним пећима.
2. Хемијска класа силицијума
Чистоћа: веће или једнако 99%силицијум
Главне нечистоће:
Фе: мање или једнако 0,4%
Ал: мање или једнако 0,4%
Ца: мање од или једнако 0,1%
Главне апликације:
Сировине за производњусиликони(заптивачи, мазива, смоле).
Производњаполисилицијум(користећи процесе пречишћавања као што је Сименсов метод).
Рафинирање: Даља обрада за уклањање нечистоћа за употребу у хемијској индустрији и соларној енергији.
3. Електронски силицијум (ЕГ-Си)
Чистоћа: веће или једнако 99.9999% (чистоћа 6Н+)
Кључне нечистоће:
Бор (Б), фосфор (П): < 1 ппб (делови на милијарду).
Тешки метали (нпр. Цу, Ни): < 0,1 ппб.
Главне апликације:
Полупроводничке плочицеза интегрисана кола (ИЦ) и микрочипове.
Фотонапонске (ПВ) ћелијеза соларне панеле.
Производња:
Примите одполисилицијумкористећи процесе као што су метода Чохралског (ЦЗ) или метода флоат зоне (ФЗ).
Захтева ултра-високо пречишћавање (нпр. зонско рафинисање, хемијско таложење паре).
4. Соларни силицијум (СоГ-Си)
Чистоћа:од 99,9999% (6Н) до 99,99999% (7Н).
Средња опција између хемијских и електронских часова.
Апликација:
Углавном се користи усоларне фотонапонске ћелије.
Економска ефикасност: Мање строги захтеви за чистоћом од е-граде, смањујући трошкове производње.
Кључне напомене
Полисилицијум у односу на металуршки силицијум:
Поликремний (>99,9999% Си) се производи од хемијског силицијума и служи као прекурсор за ЕГ-Си и СоГ-Си.
Утицај нечистоћа:
Чак и нечистоће у траговима (на пример, Фе, Ал) погоршавају електричне карактеристике полупроводника.
Напредне технологије пречишћавања (нпр. дестилација, рафинација у гасној фази) су потребне да би се добиле чистије врсте.