У електроници и полупроводничкој технологији, главне предности СиЦ-а су:
Висока топлотна проводљивост 120-270 В/мК
Низак коефицијент топлотног ширења 4,0к10^-6/ степен
Висока максимална густина струје
Комбинација ове три карактеристике даје СиЦ супериорну електричну проводљивост, посебно у поређењу са силицијумом, СиЦ-овим популарнијим рођаком. Карактеристике СиЦ материјала чине га веома погодним за апликације велике снаге где су потребна велика струја, висока температура и висока топлотна проводљивост.
Последњих година, СиЦ је постао кључни играч у индустрији полупроводника, напајајући МОСФЕТ-ове, Шоткијеве диоде и енергетске модуле за употребу у апликацијама велике снаге и високе ефикасности. Иако су скупљи од силицијумских МОСФЕТ-ова, који су обично ограничени на пробојни напон од 900 В, СиЦ може постићи граничне напоне од скоро 10 кВ.
СиЦ такође има веома ниске губитке при пребацивању и може да подржи високе радне фреквенције, што му омогућава да постигне ефикасност без премца данас, посебно у апликацијама које раде на напону већем од 600 волти. Када се правилно користе, СиЦ-уређаји могу да смање губитке у систему претварача и инвертера за скоро 50%, - величину за 300%, а укупну цену система - за 20%. Ово смањење укупне величине система чини СиЦ изузетно корисним у апликацијама осетљивим на тежину и простор.